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IRFRC20TRR

IRFRC20TRR
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Processo di acquisto

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D-Pak
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:4.4 Ohm @ 1.2A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta), 42W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:350pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione drain-source (Vdss):600V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2A (Tc)


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