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IPP100N06S205AKSA1

IPP100N06S205AKSA1

International Rectifier (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Senza piombo / RoHS conforme
Prodotti a semiconduttore discreti
IPP100N06S205AKSA1.pdf

codice IPP100N06S205AKSA1 È una parte comunemente usata? : Sì
Spedito da: magazzino HK o Singapore
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Vgs (th) (max) a Id:	4V @ 250µA
Tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:	PG-TO220-3-1
Serie:	OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:	5 mOhm @ 80A, 10V
Dissipazione di potenza (max):	300W (Tc)
imballaggio:	Tube
Contenitore / involucro:	TO-220-3
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:	Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:	5110pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:	170nC @ 10V
Tipo FET:	N-Channel
Caratteristica FET:	-
Tensione drain-source (Vdss):	55V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:	100A (Tc)

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