APTM120SK29TG

Microsemi
MOSFET N-CH 1200V 34A SP4
Senza piombo / RoHS conforme
Prodotti a semiconduttore discreti
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Confezione

Vgs (th) (max) a Id:	5V @ 5mA
Tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:	SP4
Serie:	-
Rds On (max) a Id, Vgs:	348 mOhm @ 17A, 10V
Dissipazione di potenza (max):	780W (Tc)
imballaggio:	Bulk
Contenitore / involucro:	SP4
temperatura di esercizio:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:	Chassis Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:	10300pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:	374nC @ 10V
Tipo FET:	N-Channel
Caratteristica FET:	-
Tensione drain-source (Vdss):	1200V (1.2kV)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:	34A