APTM120H29FG

Microsemi
MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
Senza piombo / RoHS conforme
Prodotti a semiconduttore discreti
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Vgs (th) (max) a Id:	5V @ 5mA
Contenitore dispositivo fornitore:	SP6
Serie:	POWER MOS 7®
Rds On (max) a Id, Vgs:	348 mOhm @ 17A, 10V
Potenza - Max:	780W
imballaggio:	Bulk
Contenitore / involucro:	SP6
temperatura di esercizio:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:	Chassis Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:	10300pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:	374nC @ 10V
Tipo FET:	4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET:	Standard
Tensione drain-source (Vdss):	1200V (1.2kV)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:	34A