SIA975DJ-T1-GE3

Vishay / Siliconix
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC-70-6
Senza piombo / RoHS conforme
Prodotti a semiconduttore discreti
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Vgs (th) (max) a Id:	1V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Serie:	TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:	41 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Potenza - Max:	7.8W
imballaggio:	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:	PowerPAK® SC-70-6 Dual
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:	Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:	1500pF @ 6V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:	26nC @ 8V
Tipo FET:	2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET:	Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):	12V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:	4.5A

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