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SIA537EDJ-T1-GE3

SIA537EDJ-T1-GE3

Vishay / Siliconix
MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L
Senza piombo / RoHS conforme
Prodotti a semiconduttore discreti
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codice SIA537EDJ-T1-GE3 È una parte comunemente usata? : Sì
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Vgs (th) (max) a Id:	1V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Serie:	TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:	28 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Potenza - Max:	7.8W
imballaggio:	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:	PowerPAK® SC-70-6 Dual
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:	Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:	455pF @ 6V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:	16nC @ 8V
Tipo FET:	N and P-Channel
Caratteristica FET:	Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):	12V, 20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:	4.5A

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