SI6435ADQ-T1-E3

Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP
Senza piombo / RoHS conforme
Prodotti a semiconduttore discreti
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Confezione

Vgs (th) (max) a Id:	1V @ 250µA (Min)
Tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:	8-TSSOP
Serie:	TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:	30 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):	1.05W (Ta)
imballaggio:	Original-Reel®
Contenitore / involucro:	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:	Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:	-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:	20nC @ 5V
Tipo FET:	P-Channel
Caratteristica FET:	-
Tensione drain-source (Vdss):	30V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:	4.7A (Ta)