SI5445BDC-T1-GE3

Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8
Senza piombo / RoHS conforme
Prodotti a semiconduttore discreti
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Confezione

Vgs (th) (max) a Id:	1V @ 250µA
Tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:	1206-8 ChipFET™
Serie:	TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:	33 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):	1.3W (Ta)
imballaggio:	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:	8-SMD, Flat Lead
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:	Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:	-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:	21nC @ 4.5V
Tipo FET:	P-Channel
Caratteristica FET:	-
Tensione drain-source (Vdss):	8V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:	5.2A (Ta)