SI4346DY-T1-GE3

Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 30V 5.9A 8-SOIC
Senza piombo / RoHS conforme
Prodotti a semiconduttore discreti
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Specifiche
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Confezione

Vgs (th) (max) a Id:	2V @ 250µA
Tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:	8-SO
Serie:	TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:	23 mOhm @ 8A, 10V
Dissipazione di potenza (max):	1.31W (Ta)
imballaggio:	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:	Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:	-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:	10nC @ 4.5V
Tipo FET:	N-Channel
Caratteristica FET:	-
Tensione drain-source (Vdss):	30V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:	5.9A (Ta)