FESB8DT-E3/81

Vishay / Semiconductor - Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Senza piombo / RoHS conforme
Prodotti a semiconduttore discreti
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Specifiche
Recensioni
Pagamento
spedizione
Confezione

Tensione - diretta (Vf) (max) a If:	950mV @ 8A
Tensione - inversa (Vr) (max):	200V
Contenitore dispositivo fornitore:	TO-263AB
Velocità:	Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:	-
Tempo di ripristino inverso (trr):	35ns
imballaggio:	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura di funzionamento - Giunzione:	-55°C ~ 150°C
Tipo montaggio:	Surface Mount
Tipo diodo:	Standard
Corrente - Dispersione inversa a Vr:	10µA @ 200V
Corrente - raddrizzata media (Io):	8A
Capacità a Vr, F:	-