STD2N95K5

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 2A DPAK
Senza piombo / RoHS conforme
Prodotti a semiconduttore discreti
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Prezzo
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Confezione

Vgs (th) (max) a Id:	5V @ 100µA
Vgs (Max):	30V
Tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:	DPAK
Serie:	SuperMESH5™
Rds On (max) a Id, Vgs:	5 Ohm @ 1A, 10V
Dissipazione di potenza (max):	45W (Tc)
imballaggio:	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:	Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:	105pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:	10nC @ 10V
Tipo FET:	N-Channel
Caratteristica FET:	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):	10V
Tensione drain-source (Vdss):	950V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:	2A (Tc)