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UNR521DG0L

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Processo di acquisto

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:SMini3-F2
Serie:-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):10k
Resistenza - Base (R1) (ohm):47k
Potenza - Max:150mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SC-85
Tipo montaggio:Surface Mount
Frequenza - transizione:150MHz
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:30 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA


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