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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2SD225900A

2SD225900A

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Tensione - rottura collettore-emettitore (max):20V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:400mV @ 50mA, 500mA
Tipo transistor:NPN
Contenitore dispositivo fornitore:MT-2-A1
Serie:-
Potenza - Max:1W
imballaggio:Tape & Box (TB)
Contenitore / involucro:3-SIP
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Frequenza - transizione:55MHz
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:1000 @ 150mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max):10µA
Corrente - collettore (Ic) (max):700mA


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