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PDTD113ZQAZ

Nexperia
TRANS PREBIAS NPN 3DFN
Senza piombo / RoHS conforme
Prodotti a semiconduttore discreti
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codice PDTD113ZQAZ È una parte comunemente usata? : Sì
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Tensione - rottura collettore-emettitore (max):	50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:	100mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor:	NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:	DFN1010D-3
Serie:	Automotive, AEC-Q101
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):	10k
Resistenza - Base (R1) (ohm):	1k
Potenza - Max:	325mW
imballaggio:	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:	3-XDFN Exposed Pad
Tipo montaggio:	Surface Mount
Frequenza - transizione:	210MHz
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:	70 @ 50mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):	500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):	500mA

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