PMF3800SN,115

NXP Semiconductors / Freescale
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323
Senza piombo / RoHS conforme
Prodotti a semiconduttore discreti
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Confezione

Vgs (th) (max) a Id:	3.3V @ 1mA
Tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:	SOT-323-3
Serie:	TrenchMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:	4.5 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):	560mW (Tc)
imballaggio:	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:	SC-70, SOT-323
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:	Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:	40pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:	0.85nC @ 10V
Tipo FET:	N-Channel
Caratteristica FET:	-
Tensione drain-source (Vdss):	60V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:	260mA (Ta)