| Tensione di alimentazione -: | 1.283 V ~ 1.45 V |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 96-FBGA (10x14) |
| Velocità: | 800MHz |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | 96-TFBGA |
| temperatura di esercizio: | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Tipo di memoria: | Volatile |
| Dimensione della memoria: | 8Gb (512M x 16) |
| Formato di memoria: | DRAM |
| Interfaccia: | Parallel |
MT41K512M16TNA-125 M:E TR
IC SDRAM 8GBIT 800MHZ 96FBGA
MT41K512M16TNA-107:E
IC SDRAM 8GBIT 933MHZ 96FBGA
MT41K512M16TNA-125M:E
MT41K512M16TNA-125 IT:E
IC SDRAM 8GBIT 800MHZ 96FBGA
MT41K512M16TNA-125 IT:E TR
IC SDRAM 8GBIT 800MHZ 96FBGA
MT41K512M16TNA-125:E TR
IC SDRAM 8GBIT 800MHZ 96FBGA
MT41K512M16HA-125:A
IC SDRAM 8GBIT 800MHZ 96FBGA
MT41K512M4DA-107:K
IC SDRAM 2GBIT 933MHZ 78FBGA
MT41K512M16TNA-125:E
IC SDRAM 8GBIT 800MHZ 96FBGA
MT41K512M16HA-125IT:A
CRCW12066R80JNEA
RES SMD 6.8 OHM 5% 1/4W 1206
CRCW120653K6FKEA
RES SMD 53.6K OHM 1% 1/4W 1206
RMCF1206JG470R
RES SMD 470 OHM 5% 1/4W 1206
AC0201FR-07309KL
RES SMD 309K OHM 1% 1/20W 0201
RGC0805DTD392R
RES SMD 392 OHM 0.5% 1/8W 0805
ERJ-PB3D2372V
RES SMD 23.7K OHM 0.5% 1/5W 0603
CRGH0603F102R
RES SMD 102 OHM 1% 1/5W 0603
CRCW1206165KFKEB
RES SMD 165K OHM 1% 1/4W 1206
ESR18EZPF39R0
RES SMD 39 OHM 1% 1/3W 1206
ESR10EZPF2742
RES SMD 27.4K OHM 1% 0.4W 0805
