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R6004KNX

LAPIS Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4A TO220-3
Senza piombo / RoHS conforme
Prodotti a semiconduttore discreti
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Vgs (th) (max) a Id:	5V @ 1mA
Vgs (Max):	±20V
Tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:	TO-220FM
Serie:	-
Rds On (max) a Id, Vgs:	980 mOhm @ 1.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):	40W (Tc)
imballaggio:	Bulk
Contenitore / involucro:	TO-220-3 Full Pack
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:	Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:	280pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:	10.2nC @ 10V
Tipo FET:	N-Channel
Caratteristica FET:	Schottky Diode (Isolated)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):	10V
Tensione drain-source (Vdss):	600V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:	4A (Tc)

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