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EMA11T2R

EMA11T2R
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Processo di acquisto

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore:EMT5
Serie:-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):47k
Resistenza - Base (R1) (ohm):4.7k
Potenza - Max:150mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Tipo montaggio:Surface Mount
Frequenza - transizione:250MHz
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA


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