DTC123EMT2L

LAPIS Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
Senza piombo / RoHS conforme
Prodotti a semiconduttore discreti
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Prezzo
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Confezione

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):	50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:	300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor:	NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:	VMT3
Serie:	-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):	2.2k
Resistenza - Base (R1) (ohm):	2.2k
Potenza - Max:	150mW
imballaggio:	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:	SOT-723
Tipo montaggio:	Surface Mount
Frequenza - transizione:	250MHz
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:	20 @ 20mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):	500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):	100mA