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SPP100N04S2-04

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Processo di acquisto

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO220-3-1
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:3.6 mOhm @ 80A, 10V
Dissipazione di potenza (max):300W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:7220pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:172nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione drain-source (Vdss):40V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)


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