IRL1004STRL

International Rectifier (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
Contiene piombo / RoHS non conforme
Prodotti a semiconduttore discreti
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Specifiche
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Confezione

Vgs (th) (max) a Id:	1V @ 250µA
Tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:	D2PAK
Serie:	HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:	6.5 mOhm @ 78A, 10V
Dissipazione di potenza (max):	3.8W (Ta), 200W (Tc)
imballaggio:	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:	Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:	5330pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:	100nC @ 4.5V
Tipo FET:	N-Channel
Caratteristica FET:	-
Tensione drain-source (Vdss):	40V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:	130A (Tc)