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BCR503E6393HTSA1

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Processo di acquisto

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:PG-SOT23-3
Serie:-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):2.2k
Resistenza - Base (R1) (ohm):2.2k
Potenza - Max:330mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo montaggio:Surface Mount
Frequenza - transizione:100MHz
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:40 @ 50mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):500mA


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