VMM300-03F

IXYS Corporation
MOSFET 2N-CH 300V 290A Y3-DCB
Senza piombo / RoHS conforme
Prodotti a semiconduttore discreti
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Confezione

Vgs (th) (max) a Id:	4V @ 30mA
Contenitore dispositivo fornitore:	Y3-DCB
Serie:	HiPerFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:	8.6 mOhm @ 145A, 10V
Potenza - Max:	1500W
imballaggio:	Bulk
Contenitore / involucro:	Y3-DCB
temperatura di esercizio:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:	Chassis Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:	40000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:	1440nC @ 10V
Tipo FET:	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:	Standard
Tensione drain-source (Vdss):	300V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:	290A

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