IXTQ230N085T

IXYS Corporation
MOSFET N-CH 85V 230A TO-3P
Senza piombo / RoHS conforme
Prodotti a semiconduttore discreti
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Confezione

Vgs (th) (max) a Id:	4V @ 250µA
Tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:	TO-3P
Serie:	TrenchMV™
Rds On (max) a Id, Vgs:	4.4 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max):	550W (Tc)
imballaggio:	Tube
Contenitore / involucro:	TO-3P-3, SC-65-3
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:	Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:	9900pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:	187nC @ 10V
Tipo FET:	N-Channel
Caratteristica FET:	-
Tensione drain-source (Vdss):	85V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:	230A (Tc)