IXTA1N100

IXYS Corporation
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263
Senza piombo / RoHS conforme
Prodotti a semiconduttore discreti
IXTA1N100.pdf

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Vgs (th) (max) a Id:	4.5V @ 25µA
Tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:	TO-263 (IXTA)
Serie:	-
Rds On (max) a Id, Vgs:	11 Ohm @ 1A, 10V
Dissipazione di potenza (max):	54W (Tc)
imballaggio:	Tube
Contenitore / involucro:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:	Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:	400pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:	14.5nC @ 10V
Tipo FET:	N-Channel
Caratteristica FET:	-
Tensione drain-source (Vdss):	1000V (1kV)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:	1.5A (Tc)