KBJ408G

GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 800V 4A KBJ
Senza piombo / RoHS conforme
Prodotti a semiconduttore discreti
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Specifiche
Recensioni
Pagamento
spedizione
Confezione

Tensione - Picco inversa (max):	800V
Tensione - diretta (Vf) (max) a If:	1.1V @ 4A
Tecnologia:	Standard
Contenitore dispositivo fornitore:	KBJ
Serie:	-
imballaggio:	Bulk
Contenitore / involucro:	4-SIP, KBJ
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:	Through Hole
Tipo diodo:	Single Phase
Corrente - Dispersione inversa a Vr:	5µA @ 800V
Corrente - raddrizzata media (Io):	4A

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