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NDH8304P

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Processo di acquisto

Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:SuperSOT™-8
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:70 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Potenza - Max:800mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SMD, Gull Wing
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:865pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:23nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.7A


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