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IRLM110ATF

Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-223
Senza piombo / RoHS conforme
Prodotti a semiconduttore discreti
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Vgs (th) (max) a Id:	2V @ 250µA
Tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:	SOT-223-4
Serie:	-
Rds On (max) a Id, Vgs:	440 mOhm @ 750mA, 5V
Dissipazione di potenza (max):	2.2W (Tc)
imballaggio:	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:	TO-261-4, TO-261AA
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:	Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:	235pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:	8nC @ 5V
Tipo FET:	N-Channel
Caratteristica FET:	-
Tensione drain-source (Vdss):	100V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:	1.5A (Tc)

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