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FQPF27N25

FQPF27N25
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Processo di acquisto

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220F
Serie:QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:110 mOhm @ 7A, 10V
Dissipazione di potenza (max):55W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3 Full Pack
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2450pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:65nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):250V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:14A (Tc)


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