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FQD9N25TM

Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK
Senza piombo / RoHS conforme
Prodotti a semiconduttore discreti
1.FQD9N25TM.pdf 2.FQD9N25TM.pdf

codice FQD9N25TM È una parte comunemente usata? : Sì
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Vgs (th) (max) a Id:	5V @ 250µA
Vgs (Max):	±30V
Tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:	D-Pak
Serie:	QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:	420 mOhm @ 3.7A, 10V
Dissipazione di potenza (max):	2.5W (Ta), 55W (Tc)
imballaggio:	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:	Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:	700pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:	20nC @ 10V
Tipo FET:	N-Channel
Caratteristica FET:	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):	10V
Tensione drain-source (Vdss):	250V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:	7.4A (Tc)

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