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FDS6688S

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Processo di acquisto

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:6 mOhm @ 16A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3290pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:78nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione drain-source (Vdss):30V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:16A (Ta)


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