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FDMC8026S

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Vgs (th) (max) a Id:3V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-MLP (3.3x3.3)
Serie:PowerTrench®, SyncFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:4.4 mOhm @ 19A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.4W (Ta), 36W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerWDFN
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3165pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:52nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:19A (Ta), 21A (Tc)


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