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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2N3417_D89Z

2N3417_D89Z

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Processo di acquisto

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 3mA, 50mA
Tipo transistor:NPN
Contenitore dispositivo fornitore:TO-92-3
Serie:-
Potenza - Max:625mW
imballaggio:Tape & Box (TB)
Contenitore / involucro:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Frequenza - transizione:-
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:180 @ 2mA, 4.5V
Corrente - Cutoff collettore (max):100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):500mA


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