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DDTC115EE-7-F

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Processo di acquisto

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-523
Serie:-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):100k
Resistenza - Base (R1) (ohm):100k
Potenza - Max:150mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-523
Tipo montaggio:Surface Mount
Frequenza - transizione:250MHz
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:82 @ 5mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA


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