AOW11N60

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Prezzo
1	$1.34
10	$1.188
25	$1.073
100	$0.939
250	$0.824
500	$0.728

Specifiche
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Pagamento
spedizione
Confezione

Vgs (th) (max) a Id:	4.5V @ 250µA
Tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:	TO-262
Serie:	-
Rds On (max) a Id, Vgs:	700 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):	272W (Tc)
imballaggio:	Tube
Contenitore / involucro:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:	Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:	1990pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:	37nC @ 10V
Tipo FET:	N-Channel
Caratteristica FET:	-
Tensione drain-source (Vdss):	600V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:	11A (Tc)