AON2408

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Confezione

Vgs (th) (max) a Id:	1.2V @ 250µA
Vgs (Max):	±12V
Tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:	6-DFN-EP (2x2)
Serie:	-
Rds On (max) a Id, Vgs:	14.5 mOhm @ 8A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):	2.8W (Ta)
imballaggio:	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:	6-UDFN Exposed Pad
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:	Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:	782pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:	7nC @ 4.5V
Tipo FET:	N-Channel
Caratteristica FET:	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):	2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):	20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:	8A (Ta)