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AO4476A

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Processo di acquisto

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:7.7 mOhm @ 15A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.1W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1380pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:24nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:15A (Ta)


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