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ALD110804PCL

Advanced Linear Devices, Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
Senza piombo / RoHS conforme
Prodotti a semiconduttore discreti
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Vgs (th) (max) a Id:	420mV @ 1µA
Contenitore dispositivo fornitore:	16-PDIP
Serie:	EPAD®
Rds On (max) a Id, Vgs:	500 Ohm @ 4.4V
Potenza - Max:	500mW
imballaggio:	Tube
Contenitore / involucro:	16-DIP (0.300", 7.62mm)
temperatura di esercizio:	0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo montaggio:	Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:	2.5pF @ 5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:	-
Tipo FET:	4 N-Channel, Matched Pair
Caratteristica FET:	Standard
Tensione drain-source (Vdss):	10.6V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:	12mA, 3mA

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