NTMS4920NR2G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10.6A 8SOIC
Senza piombo / RoHS conforme
Prodotti a semiconduttore discreti
NTMS4920NR2G.pdf

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Vgs (th) (max) a Id:	3V @ 250µA
Vgs (Max):	±20V
Tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:	8-SOIC
Serie:	-
Rds On (max) a Id, Vgs:	4.3 mOhm @ 7.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):	820mW (Ta)
imballaggio:	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:	Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:	4068pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:	58.9nC @ 10V
Tipo FET:	N-Channel
Caratteristica FET:	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):	4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):	30V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:	10.6A (Ta)