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NTMFS4854NST3G

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Processo di acquisto

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SO-8FL
Serie:SENSEFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:2.5 mOhm @ 15A, 10V
Dissipazione di potenza (max):900mW (Ta), 86.2W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4830pF @ 12V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:85nC @ 11.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione drain-source (Vdss):25V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:15.2A (Ta), 149A (Tc)


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