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NTLUS3A90PZCTAG

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Processo di acquisto

Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:6-UDFN (1.6x1.6)
Serie:µCool™
Rds On (max) a Id, Vgs:62 mOhm @ 4A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):600mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-PowerUFDFN
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:950pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:12.3nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione drain-source (Vdss):20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.6A (Ta)


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