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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > NTB75N06L

NTB75N06L

NTB75N06L
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Processo di acquisto

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D2PAK
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:11 mOhm @ 37.5A, 5V
Dissipazione di potenza (max):2.4W (Ta), 214W (Tj)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4370pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:92nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione drain-source (Vdss):60V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:75A (Ta)


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