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NSS40302PDR2G

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Processo di acquisto

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):40V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:115mV @ 200mA, 2A
Tipo transistor:NPN, PNP
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOIC
Serie:-
Potenza - Max:653mW
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Frequenza - transizione:100MHz
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:180 @ 1A, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max):100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):3A


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