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NSS20101JT1G

NSS20101JT1G
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Processo di acquisto

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):20V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:220mV @ 100mA, 1A
Tipo transistor:NPN
Contenitore dispositivo fornitore:SC-89-3
Serie:-
Potenza - Max:300mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SC-89, SOT-490
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Frequenza - transizione:350MHz
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:200 @ 100mA, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max):100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):1A


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