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EMC4DXV5T1G

EMC4DXV5T1G
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Processo di acquisto

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-553
Serie:-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):47k
Resistenza - Base (R1) (ohm):47k, 10k
Potenza - Max:500mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-553
Tipo montaggio:Surface Mount
Frequenza - transizione:-
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA


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