SI7949DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix
MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Senza piombo / RoHS conforme
Prodotti a semiconduttore discreti
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Confezione

Vgs (th) (max) a Id:	3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:	PowerPAK® SO-8 Dual
Serie:	TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:	64 mOhm @ 5A, 10V
Potenza - Max:	1.5W
imballaggio:	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:	PowerPAK® SO-8 Dual
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:	Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:	-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:	40nC @ 10V
Tipo FET:	2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET:	Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):	60V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:	3.2A