SI5933CDC-T1-GE3

Vishay / Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
Senza piombo / RoHS conforme
Prodotti a semiconduttore discreti
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codice SI5933CDC-T1-GE3 È una parte comunemente usata? : Sì
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Vgs (th) (max) a Id:	1V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:	1206-8 ChipFET™
Serie:	TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:	144 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Potenza - Max:	2.8W
imballaggio:	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:	8-SMD, Flat Lead
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:	Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:	276pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:	6.8nC @ 5V
Tipo FET:	2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET:	Standard
Tensione drain-source (Vdss):	20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:	3.7A

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