IRFI614GPBF

Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.1A TO220FP
Senza piombo / RoHS conforme
Prodotti a semiconduttore discreti
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Confezione

Vgs (th) (max) a Id:	4V @ 250µA
Tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:	TO-220-3
Serie:	-
Rds On (max) a Id, Vgs:	2 Ohm @ 1.3A, 10V
Dissipazione di potenza (max):	23W (Tc)
imballaggio:	Tube
Contenitore / involucro:	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:	Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:	140pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:	8.2nC @ 10V
Tipo FET:	N-Channel
Caratteristica FET:	-
Tensione drain-source (Vdss):	250V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:	2.1A (Tc)