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IRF830

IRF830
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Processo di acquisto

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:1.5 Ohm @ 2.7A, 10V
Dissipazione di potenza (max):74W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:610pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:38nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione drain-source (Vdss):500V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4.5A (Tc)


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