TK13A50DA(STA4,Q,M

Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220SIS
Senza piombo / RoHS conforme
Prodotti a semiconduttore discreti
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Vgs (th) (max) a Id:	4V @ 1mA
Tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:	TO-220SIS
Serie:	π-MOSVII
Rds On (max) a Id, Vgs:	470 mOhm @ 6.3A, 10V
Dissipazione di potenza (max):	45W (Tc)
imballaggio:	Tube
Contenitore / involucro:	TO-220-3 Full Pack
temperatura di esercizio:	150°C (TJ)
Tipo montaggio:	Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:	1550pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:	28nC @ 10V
Tipo FET:	N-Channel
Caratteristica FET:	-
Tensione drain-source (Vdss):	500V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:	12.5A (Ta)